Gli ultimi modelli della casa tedesca sopportano fino a 2 kV ESD con un guadagno di fattore 10 rispetto ai transistor della generazione precedente
Con referenze BFP640ESD, BFP720ESD e BFP740ESD presentiamo gli ultimi tre transistor bipolari RF di Infineon Technologies che offrono una maggiore protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD).
Questo modelli supportano scariche fino a 2 kV e rispetto alla precedente generazione di componenti rappresenta un miglioramento quantificabile con un fattore 10. La potenza massima ammissibile è stata inoltre aumentata da +10 dBm a +20 dBm.
Come applicazioni ideali hanno trovano il loro impiego ideale in LNA, mixer o VCO incorporato nei telefoni cellulari, router, WLAN, WiMAX e moduli GPS, il set-top box, antenne attive e schede wireless.
- Redazione
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